一、碳基氮化镓与硅基氮化镓的区别？

硅基氮化镓半导体材料相比碳基氮化镓，在实际案例中，目前还没有被广泛应用，但是因为性能优异，所以以后有望普及。 

区别在于：

硅基的氮化镓比碳基的氮化镓在线性度上有不同的显现，可对基站的复杂信号进行数字调制。 

在产能上，碳基氮化镓由于材料特性，不支持大的晶圆，而硅基氮化镓材料支持大晶圆的特性，有利于电路的扩展和集成，未来有可能在相关领域取代碳化硅基。 

碳基氮化镓器件是以碳化硅（SiC）做衬底。硅基氮化镓工艺的衬底采用硅基。

硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高，Wafer可以做的大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，晶圆的长度可以拉长至2米，无论在产能和成本方面，硅基氮化镓器件有优势些。

二、硅基氮化镓外延片是什么？

答：硅基氮化镓外延片是指在蓝宝石、硅、氮化硅和氮化镓等衬底上进行氮化镓外延。

氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料之一，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性，是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。外延片作为半导体原材料，位于半导体产业链上游，是半导体制造产业的支撑性行业。外延片制造商在衬底材料上通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）设备、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）设备等进行晶体外延生长、制成外延片。

三、氮化镓读音？

氮化镓 [dàn huà jiā]。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中。

四、氮化镓工艺？

氮化镓的成本比较高，它是自然界没有的物质，完全要靠人工合成；从制造工艺上讲，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，纯靠气体反应合成，所以氮化镓充电器的价格比一般的充电器都要更高。

五、氮化镓原理？

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

六、氮化镓用途？

氮化镓英文简称GaN ，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。GaN 具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，可用于生产半导体功率器件以及RF组件和发光二极管（LED）的材料。GaN已证明具有成为功率转换，RF和模拟应用中的硅半导体置换技术的能力，是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。

七、6英寸硅基氮化镓芯片概念？

氮化镓，砷化镓，碳化硅都是制作高频高压功率器件的。应用领货广泛，增强国家强大的武器装备。

八、氮化镓的泊松比？

氮化镓是一种极稳定、高电离度、高熔点、无机化合物，是一种直接能隙的半导体，熔点1700 ℃，密度6.1g/cm³，分子量83.73，热导率1.3W/cm-K，禁带宽度3.4eV，无相关物理力学性能。

九、氮化镓怎么提炼？

氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，是通过人工合成的，【不是提炼出来的】，

一般有如下合成方法:

①通过三甲基镓（TMGa）分解出来的Ga与氨气反应而来。即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。

③在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。

十、氮化镓材料硬度？

氮化镓材料是基于碳化硅衬底，碳化硅硬度很大，莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级）